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  • M36W0R6030T0ZAQT图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • M36W0R6030T0ZAQT
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M36W0R6030T0ZAQT产品参数
型号:M36W0R6030T0ZAQT
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NUMONYX
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA,
针数:88
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.14
Is Samacsys:N
其他特性:SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16
JESD-30 代码:R-PBGA-B88
JESD-609代码:e0
长度:10 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:88
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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