2.25伏电压可变吸收
衰减器 - 64分贝， 1.8-2.5 GHz的
AT-119
特点
功能原理图
V
CC
5
V
CTL
4
单正电压控制0〜 2.25伏特
>50分贝衰减范围在2.1 GHz的
低DC功耗
低成本SOT- 25塑料包装
磁带和卷轴包装可用
描述
M / A-COM公司的AT- 119是GaAs MMIC电压变
在一种低成本的吸收衰减器， SOT-25 5 - 铅，
表面贴装塑料封装。 M / A - COM捏造
AT- 119具有成熟的单片GaAs自对准门
过程中，具有全芯片钝化性能
与可靠性
1
RF
100 pF的
2
GND
3
100 pF的
RF
应用
在AT- 119非常适合于需要应用
微调，与电压线性衰减，以及非常低
功耗。
典型应用AT- 119包括自动增益
在卫星广播接收机和其它无线控制电路
接收器。
1. V
CC
= +3.3 V
DC
@ 50 μA（最大值） 。
2. V
CTL
= 0 V
DC
到+3.3 VDC @ 50 μA（最大值） 。
3.外部隔直流电容器所需的所有RF上
端口。
绝对最大额定值
1
@ T
A
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
最大输入功率
电源电压V
CC
ControlVoltage V
CTL
工作温度
储存温度
绝对最大
+21 dBm的
-1 V, + 8 V
-1 V, V
CC
+0.5 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
1.超过任何一种或这些限制的组合可
会造成永久性的损害。
电气规格@ T
A
= +25 ° C，频率= 2.4千兆赫，V
CC
= 3.3 V
DC1
参数
测试条件
单位
民
典型值
最大
最小的插入损耗
最大衰减
衰减斜率
回波损耗
输入功率为1分贝变化衰减
化
输入3
rd
阶截取点
开关速度
瞬变
V
CTL
= 2.25 V
DC
V
CTL
= 0.5 V
DC
0.75 V
DC
＆ LT ; V
CTL
< 1.75 V
DC
0.6 V
DC
＆ LT ; V
CTL
< 1.75 V
DC
0 V
DC
＆ LT ; V
CTL
＆ LT ; 3.0 V
DC
0 V
DC
＆ LT ; V
CTL
＆ LT ; 3.0 V
DC
50% V
CTL
至10％ / 90％的射频
V
CTL
= 3 V
DC ，
带内
dB
dB
分贝/ V
dB
DBM
DBM
纳秒
mV
37
24
3.0
3.2
>12
>10
>20
180
10
1.在一个50 - τ系统，所有的测量，除非另有说明。 RF端口必须的包从外部被堵塞
地面或任何其它电压。
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
