DR65-0109 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DR65-0109
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内容描述：	单驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器 [Single Driver for GaAs FET Switches and Attenuators]
分类和应用：	驱动器开关接口集成电路光电二极管衰减器
文件页数/大小：	2 页 / 217 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

单驱动器，用于砷化镓场效应管

开关和衰减器

V 1.00

DR65-0109

特点

SO-8

高速CMOS技术

互补输出

正电压控制

低功耗

塑料SOIC封装的SMT应用

磁带和卷轴包装可用

描述

M / A - COM的DR65-0109采用的是单通道驱动器

翻译TTL控制投入互补的门

电压砷化镓场效应管微波开关和

衰减器。高速模拟CMOS技术是

用于实现低功耗的中度至

高速行驶时，包括最微波开关

应用程序。

封装外形符合JEDEC标准的MS- 012AA

保证工作范围

符号

VCC

CC-

上升

, T

秋天

参数

正直流电源电压

负直流电源电压

正到负电源电压范围

工作环境温度

直流输出电流 - 高

直流输出电流 - 低

最大输入信号上升和下降时间

单位

°C

民

4.5

-5.5

9.0

-40

—

典型

5.0

-5.0

10.0

+25

—

最大

5.5

-4.5

11.0

+85

-1.0

1.0

500

1.所有电压都是相对于GND

绝对最大额定值

参数

- V

IN 2

OUT

储存温度

绝对最大

- 为4.5V至+ 6.0 V

- 6.0 V至 - 0.5 V

12 V

+ .5 V

- .5 V

-65 ° C至+ 150°C

真值表

输入

GND

输出

GND

2.标准CMOS TTL接口，闭锁就会发生，如果逻辑

之前的电源信号被施加。

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