DU2820S
射频功率MOSFET晶体管
200W , 2-175MHz , 28V
特点
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
包装外形
•
•
•
•
•
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比双极型器件
绝对最大额定值在25° Ç
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
功耗
结温
储存温度
热阻
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
D
T
J
T
英镑
θ
JC
等级
65
20
24
62.5
200
-55到+150
2.8
单位
V
V
A
W
°C
°C
° C / W
典型的设备阻抗
F(兆赫)
30
50
100
200
Z
IN
(Ω)
17.5 - j13.0
15.0 - j15.5
8.0 - j14.0
5.5 - j8.0
Z
负载
(Ω)
16.0 - j2.5
15.0 - j4.0
12.0 - j6.0
9.25 - j6.0
信
暗淡
A
B
C
D
E
MILLIMETERS
民
24.64
18.29
20.07
9.47
6.22
5.64
2.92
2.29
4.04
6.58
.10
最大
24.89
18.54
20.83
9.73
6.48
5.79
3.30
2.67
4.55
7.39
.15
英寸
民
.970
.720
.790
.373
.245
.222
.115
.090
.159
.259
.004
最大
.980
.730
.820
.383
.255
.228
.130
.105
.179
.291
.006
V
DD
= 28V ,我
DQ
= 100mA时P
OUT
= 20 W
Z
IN
是该装置的串联等效输入阻抗
从门源。
Z
负载
是最佳的串联等效负载阻抗为
测得的从漏极到地。
在25 ° C电气特性
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向电容
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
G
M
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
P
ŋ
D
VSWR -T
民
65
-
-
2.0
500
-
-
-
13
60
-
最大
-
1.0
1.0
6.0
-
45
40
8
-
-
30:1
单位
V
mA
µA
V
S
pF
pF
pF
dB
%
-
F
G
H
J
K
L
测试条件
V
GS
= 0.0 V,I
DS
= 5.0毫安
V
GS
= 28.0 V , V
GS
= 0.0 V
V
GS
= 20.0 V , V
DS
= 0.0 V
V
DS
= 10.0 V,I
DS
= 100.0毫安
V
DS
= 10.0 V,I
DS
= 100.0毫安,
Δ
V
GS
= 1.0V, 80
μs
脉冲
V
DS
= 28.0 V, F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V, F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V, F = 1.0 MHz的
V
DD
= 28.0 V,I
DQ
= 100毫安, P
OUT
= 20瓦F = 175 MHz的
V
DD
= 28.0 V,I
DQ
= 100毫安, P
OUT
= 20瓦F = 175 MHz的
V
DD
= 28.0 V,I
DQ
= 100毫安, P
OUT
= 20瓦F = 175 MHz的
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
•
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
•
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
•
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。