LF2810A
射频功率MOSFET晶体管
10W ， 500-1000MHz ， 28V
特点
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
包装外形
•
•
•
•
•
•
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
常见源配置
低本底噪声
应用
宽带线性运算
500 MHz至1200 MHz的
参数
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
D
T
J
T
英镑
θ
JC
等级
65
20
2.8
26.5
200
-55到+150
6.6
单位
V
V
A
W
°C
°C
° C / W
信
暗淡
A
MILLIMETERS
民
20.70
14.35
13.72
6.27
6.22
6.22
1.14
2.92
1.40
1.96
3.61
.08
最大
20.96
14.61
14.22
6.53
6.48
6.48
1.40
3.18
1.65
2.46
4.37
.15
英寸
民
.815
.565
.540
.247
.245
.245
.045
.115
.055
.077
.142
.003
最大
.825
.575
.560
.257
.255
.255
.055
.125
.065
.097
.172
.006
绝对最大额定值在25° Ç
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
功耗
结温
储存温度
热阻
典型的设备阻抗
F（兆赫）
500
1000
1200
Z
IN
(Ω)
0.60 - j9.5
1.4 - j1.0
1.5 - j3.5
Z
负载
(Ω)
10.0 +j17.0
4.85 + j7.9
5.7 + j5.7
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
V
DD
= 28V ，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 10 W
Z
IN
是该装置的串联等效输入阻抗
从门源。
Z
负载
是最佳的串联等效负载阻抗为
测得的从漏极到地。
在25 ° C电气特性
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向电容
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
G
M
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
P
ŋ
D
VSWR -T
民
65
-
-
2.0
160
-
-
-
10
50
-
最大
-
2.0
2.0
6.0
-
14
10
4.8
-
-
20:1
单位
V
mA
µA
V
mS
pF
pF
pF
dB
%
-
测试条件
V
GS
= 0.0 V，I
DS
= 4.0毫安
V
GS
= 28.0 V , V
GS
= 0.0 V
V
GS
= 20.0 V , V
DS
= 0.0 V
V
DS
= 10.0 V，I
DS
= 20.0毫安
V
DS
= 10.0 V，I
DS
200.0毫安， 80-30
μs
脉冲
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 10.0 W， F = 1.0 GHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 10.0 W， F = 1.0 GHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 10.0 W， F = 1.0 GHz的
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
•
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
•
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
•
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
