M306N0FGTFP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M306N0FGTFP
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	60 W， 225至400兆赫控制的“ Q”宽带射频功率晶体管NPN硅 [60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	6 页 / 139 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

半导体技术资料

订购此文件

通过2N6439 / D

射频线

NPN硅

RF功率晶体管

。。。主要用于宽带大信号输出放大器级中的设计

225至400兆赫的频率范围。

•

在225至400 MHz的宽带功率放大器保证性能@ 28伏直流

输出功率为60瓦以上225〜 400 MHz频段

最小增益= 7.8分贝@ 400 MHz的

•

内置的匹配网络采用双宽带运营

比赛技术

•

100 ％测试负载不匹配，在所有相位角为30 ： 1 VSWR

•

黄金金属化系统的高可靠性的应用

2N6439

60 W， 225至400兆赫

控制的“ Q”

宽带射频功率

晶体管

NPN硅

CASE 316-01 ，风格1

最大额定值*

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

器件总功耗@ T

= 25°C (1)

减免上述25℃

存储温度范围

符号

首席执行官

CBO

EBO

英镑

价值

4.0

146

0.83

-65到+200

单位

VDC

瓦

W / ℃，

°C

热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

θJC

最大

1.2

单位

° C / W

电气特性*

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

= 50 MADC ，我

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

= 50 MADC ，V

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

= 5.0 MADC ，我

= 0)

收藏家Cuto FF电流

= 30伏直流电，我

= 0)

（ BR ） CEO

（ BR ） CES

（ BR ） EBO

CBO

4.0

—

2.0

VDC

MADC

注意：

（续）

1.这些器件专为RF操作。该器件总功耗的评价只适用于当设备的RF操作

放大器器。

*表示JEDEC注册的数据。

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案