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MADCSM0012TR 参数 Datasheet PDF下载

MADCSM0012TR图片预览
型号: MADCSM0012TR
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内容描述: PCS LNA /下变频器, 1800年至二〇〇〇年兆赫 [PCS LNA / Downconverter 1800-2000 MHz]
分类和应用: 过程控制系统PCS
文件页数/大小: 6 页 / 202 K
品牌: MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
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PCS LNA /下变频器
1800-2000兆赫
特点
高度集成的LNA和下变频器
3毫米16引脚PQFN
工作在2.7 V至5 V电源电压
低噪声系数:3.7 dB(典型)
高输入截取点: -9 dBm的典型
连续电流控制下变频器
低LO驱动电平: -10 dBm的
MADCSM0012
V2
功能框图
描述
M / A- COM公司
MADCSM0012
集成
下变频器结合了一个低噪声放大器,一个射频
放大器,下变频混频器, IF放大器,
和LO缓冲放大器。该MADCSM0012是
封装在一个低成本3毫米16引脚PQFN用
为改善高频裸露焊盘
接地。
M / A - COM设计MADCSM0012的手机
需要宽动态范围和低功耗
消费。通过施加合适的控制
电压施加到销6 ,该装置的线性度可以是
实时控制,以保持电流低至
可能
该MADCSM0012使用M / A- COM的制造
0.5微米的低噪声E / D砷化镓MESFET制程。
该工艺的特点完全钝化增加
性能和可靠性。
引脚配置
引脚号引脚名称
1
2
3
4
5
6
在LNA
GND
LNA SRC
LNA输出
LNA V
DD2
V
CTL
GND
RFA V
DD
GND
RFA IN
LOA V
DD
GND
LOA IN
IF OUT
IFA MATCH
LNA V
DD1
描述
输入LNA ;所需的RF匹配
DC和RF接地
来源LNA输出级FET 。
射频旁路必需的。片外电阻
器可以被用来增加,IIP3
50欧姆的低噪声放大器输出; DC封锁
LNA第二级电源;
所需的射频旁路
下变频器偏置控制。
0 〜3.0 V允许
DC和RF接地
RFA电源电压;
所需的射频旁路
DC和RF接地
50欧姆射频消融输入; DC封锁
LOA电源电压;
所需的射频旁路
DC和RF接地
本地振荡器输入(-10至-5 dBm的)
IF下变频器的输出;
IF匹配要求
IF混频器和IFA之间的匹配;
需要一个电感接地
LNA第一级电源;
所需的射频旁路
订购信息
1
产品型号
MADCSM0012
MADCSM0012TR
MADCSM0012SMB
散装包装
卷带式( 1K卷)
抽样检验局
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
绝对最大额定值
2,3
参数
电压
输入功率
工作温度
储存温度
绝对最大
6V
0 dBm的
-30 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
1
2.超出任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
3, M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品(S )或包含,恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证,声明或保证其
产品用于任何特定目的,也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品(S)的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
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