MRF10031 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF10031
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内容描述：	微波功率晶体管NPN硅 [MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用：	晶体晶体管微波
文件页数/大小：	4 页 / 165 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

半导体技术资料

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通过MRF10031 / D

射频线

微波脉冲长

功率晶体管

专为960-1215兆赫或长或短脉冲共基放大器

应用如JTIDS和S模式发射机。

•

保证性能@ 960兆赫， 36 VDC

输出功率= 30瓦峰值

最小增益= 9.0分贝敏（9.5 dB典型值）

•

100 ％测试负载失配，在所有相位角为10 ： 1 VSWR

•

密封的行业标准包装

•

氮化硅钝化

•

黄金金属化，发射器碴的长寿命和抗金属

迁移

•

内部输入匹配的宽带运营

MRF10031

30 W（ PEAK ）

960-1215兆赫

微波功率

晶体管

NPN硅

CASE 376B -02 ，风格1

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压（ 1 ）

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 - （ 1 ）

器件总功耗@ T

= 25°C (1), (2)

减免上述25℃

存储温度范围

结温

符号

CES

CBO

EBO

英镑

价值

3.5

3.0

110

0.625

- 65至+ 200

200

单位

VDC

ADC

瓦

毫瓦/°C的

°C

热特性

特征

热阻，结到管壳（ 3 ）

符号

θJC

最大

1.6

单位

° C / W

注意事项：

1.在脉冲射频的工作条件。

2.这些器件专为RF操作。该器件总功耗的评价只适用于该设备为脉冲RF操作

放大器器。

3.热电阻是根据红外测量技术规定的RF操作条件来确定。（最坏情况

价值

测得在23 ％占空比）

REV 6

MRF10031

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