半导体技术资料
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通过MRF10150 / D
射频线
微波脉冲
功率晶体管
。 。 。专为1125至50年兆赫脉冲共基放大器应用
如TCAS , TACAN和S模式的发射机。
•
保证性能@ 1090 MHz的
输出功率= 150瓦峰值
增益= 9.5分贝敏,10.0分贝(典型值)
•
100 %测试负载失配,在所有相位角为10 : 1 VSWR
•
密封包装
•
氮化硅钝化
•
黄金金属化,发射器碴的长寿命和抗金属
迁移
•
内部输入和输出匹配
•
特点10
µs,
10 %占空比脉冲
•
一对MRF10500晶体管的驱动推荐
MRF10150
为150W (PEAK)
1125至50年兆赫
微波功率
晶体管
NPN硅
CASE 376B -02 ,风格1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 峰值( 1 )
器件总功耗@ T
C
= 25°C (1), (2)
减免上述25℃
存储温度范围
结温
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
65
3.5
14
700
4.0
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃,
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到管壳( 3 )
符号
R
θJC
最大
0.25
单位
° C / W
注意事项:
1.在脉冲射频的工作条件。
2.这些器件专为RF操作。该器件总功耗的评价只适用于该设备为脉冲RF操作
放大器器。
3.热电阻是根据红外测量技术规定的RF操作条件来确定。 (最坏情况
θ
JC
价值
测量@ 10
µs,
10%.)
1