MRF10502 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF10502
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内容描述：	微波功率晶体管NPN硅 [MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用：	晶体晶体管微波放大器局域网
文件页数/大小：	4 页 / 142 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

半导体技术资料

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通过MRF10502 / D

射频线

微波脉冲

功率晶体管

专为1025- 1150 MHz的脉冲共基放大器应用

如TCAS ，T禁毒常务委员会和S模式的发射机。

•

保证性能@ 1090 MHz的

输出功率= 500瓦峰值

增益= 8.5分贝敏，9.0分贝（典型值）

•

100 ％测试负载失配，在所有相位角为10 ： 1 VSWR

•

密封式包装行业

•

氮化硅钝化

•

黄金金属化，发射器碴的长寿命和抗金属

迁移

•

内部输入和输出匹配

•

特点10

µs,

1 ％占空比脉冲

MRF10502

500瓦（峰值）

一○二五年至1150年兆赫

微波功率

晶体管

NPN硅

CASE 355J -02 ，风格1

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 峰值

(1)

符号

VCES

VCBO

VEBO

TSTG

价值

3.5

1460

8.3

- 65 〜+ 200

200

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

°C

器件总功耗@ TC = 25 ° C（ 1 ），（ 2 ）

减免上述25℃

存储温度范围

结温

热特性

特征

热阻，结到管壳（ 3 ）

符号

θJC

最大

0.12

单位

° C / W

注意事项：

1.在脉冲射频的工作条件。

2.这些器件专为RF操作。该器件总功耗的评价只适用于该设备为脉冲RF操作

放大器器。

3.热电阻是根据红外测量技术规定的RF操作条件来确定。（最坏情况

JC值

测量@ 32

µs,

2%.)

替换MRF10500 / D

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