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MRF140 参数 Datasheet PDF下载

MRF140图片预览
型号: MRF140
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内容描述: N沟道MOS线性RF功率场效应晶体管 [N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 8 页 / 205 K
品牌: MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
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半导体技术资料
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由MRF140 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式
主要为直链的大信号输出级高达150 MHz设计
频率范围。
规定的28伏, 30 MHz的特点
输出功率= 150瓦
功率增益= 15分贝(典型值)
效率= 40 % (典型值)
高级高阶IMD
IMD
(d3)
( 150瓦PEP ) - -30分贝(典型值)
IMD
(d11)
( 150瓦PEP ) - 为-60 dB (典型值)
100 %测试负载不匹配在所有相位角带
30 : 1 VSWR
MRF140
150 W,频率为150 MHz
N沟道MOS
线性RF功率
FET
D
G
S
CASE 211-11 ,花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
DGO
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
65
±40
16
300
1.7
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W / ℃,
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.6
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
第9版
1