MRF148 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF148
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内容描述：	N沟道MOS线性RF功率场效应晶体管 [N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 171 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

半导体技术资料

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由MRF148 / D

射频MOSFET线

射频功率场效应晶体管

N沟道增强模式

专为工业，商业功率放大器的应用程序和

业余无线电设备，以175兆赫。

•

高级高阶IMD

•

规定的50伏， 30 MHz的特点

输出功率= 30瓦

功率增益= 18分贝（典型值）

效率= 40 ％（典型值）

•

IMD （ D3 ）（ 30瓦特PEP ） - - 56分贝（典型值）

•

IMD （ D11 ）（ 30瓦特PEP ） - - 60分贝（典型值）

•

100 ％测试负载不匹配在所有相位角带

30 ： 1 VSWR

•

低反向传输电容（ 3.0 pF的典型）

MRF148A

30瓦， 175兆赫

N沟道MOS

线性RF功率

FET

CASE 211-07 ，花柱2

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

VDSS

VDGO

VGS

TSTG

价值

120

6.0

115

0.66

- 65 〜+ 150

200

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

°C

热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

θJC

最大

1.52

单位

° C / W

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

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