RF功率MOSFET的注意事项
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
端子之间。金属氧化物栅极结构
确定该电容器从栅极到漏极（℃
gd
） ，以及
栅极 - 源极（三
gs
） 。期间所形成的PN结
制造的射频MOSFET结果中的结电容
从漏极到源tance （三
ds
).
这些电容的特点是输入（C
国际空间站
),
输出（C
OSS
）和反向传输（C
RSS
数据）电容
床单。的端子间电容之间的关系
可用距离以及在数据表上给出如下所示。该
C
国际空间站
可以用两种方式来指定：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。在后一种情况下的数字低。
然而，无论是方法表示实际operat-
荷兰国际集团在RF应用的条件。
由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行
该装置不会发生。因此，在正常使用中，高
温度可能会降低这些特点在一定
程度。
排水特性
值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力
全条件。此导通电阻，V
DS （ ON）
，发生在
的输出特性的线性区域，并在被指定
具体的测试条件为栅极 - 源极电压和漏极
电流。对于MOSFET的V
DS （ ON）
具有正温度
系数，构成一个重要的设计考虑因素
在高温下，因为它有助于电力
该设备内的功耗。
GATE特性
的射频MOSFET的栅极是多晶硅材料，并
是从由氧化物层的源极电绝缘。该
输入电阻非常高 - 10的顺序
9
欧=
导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过施加正电压来实现
稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，
V
GS （ TH）
.
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压
投资评级。超过额定V
GS
可导致永久
损坏在栅极区域中的氧化物层。
门终止
- 这些器件的栅极是
基本上电容。电路的离开门打开，税务局局长
cuited或浮动应该避免。这些条件可以
结果在导通，由于在电压累积的装置的
输入电容由于漏电流或皮卡。
栅极保护
- 这些设备不具有内部
从栅极到源极的单片齐纳二极管。如果栅极保护
是需要一个外部齐纳二极管建议。
漏
C
gd
门
C
ds
C
gs
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
gd
+ C
ds
C
RSS
= C
gd
来源
线性度和增益特性
除了在典型的IMD和功率增益数据
介绍，图5可以给设计师更多的信息
化有关此设备的能力。该图表示的
在给定的排水小信号电流单位增益频率
电流电平。这相当于到f
T
对于双极型晶体管。
晶体管等效参数术语
集热器
辐射源
BASE
V
（ BR ） CES
V
CBO
I
C
I
CES
I
EBO
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
C
ib
C
ob
h
fe
R
CE （ SAT ）
=
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
...............................
漏
来源
门
V
（ BR ） DSS
V
DGO
I
D
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
g
fs
V
DS （ ON）
I
D
V
CE （ SAT ）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
r
DS （ ON）
=
I
C
第9版
7
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
