半导体技术资料
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通过MRF166W / D
射频MOSFET线
功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
•
推挽式结构，能够减小甚至多级谐波
•
在500 MHz时， 28伏直流性能保证
输出功率 - 40瓦
增益= 14分贝
EF网络效率= 50 ％
•
在175 MHz时， 28伏典型性能
输出功率 - 40瓦
GAIN = 17分贝
效率 - 60 ％
•
优良的热稳定性，非常适合A类操作
•
方便手动增益控制， ALC和调制技术
•
100 ％测试负载不匹配，在所有相位角为30 ： 1 VSWR
•
低的Crss - 4.0 pF的@ VDS = 28伏
主要是为宽带大信号输出和驱动阶段设计
30 - 500兆赫。
MRF166W
40 W， 500 MHz的
TMOS宽带
射频功率场效应管
CASE 412-01 ，风格1
1
3
5
4
轮缘
2
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极 - 栅极电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
65
65
±
20
8.0
175
1.0
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
瓦
° C / W
°C
°C
热特性
热阻 - 结到管壳
R
θJC
1.0
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 3
1
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
