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MRF171A图片预览
型号: MRF171A
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内容描述: MOSFET宽带射频功率场效应管 [MOSFET BROADBAND RF POWER FET]
分类和应用: 晶体晶体管射频放大器局域网
文件页数/大小: 12 页 / 225 K
品牌: MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
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半导体技术资料
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通过MRF171A / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
主要是从宽带大信号输出和驱动器级设计
30-200兆赫。
保证性能在150 MHz时, 28伏直流
输出功率为45瓦
功率增益= 17分贝(最低)
效率= 60 % (最小值)
优良的热稳定性,非常适合A类操作
方便手动增益控制, ALC和调制技术
100 %测试负载不匹配,在所有相位角为30 : 1 VSWR
低的Crss - 8 pF的@ VDS = 28 V
黄金顶部金属
典型数据用于工业功率放大器的应用,
商业和业余无线电设备
在30兆赫, 28伏典型性能
输出功率= 30瓦( PEP )
功率增益= 20分贝(典型值)
效率= 50 % (典型值)
IMD ( D3 ) ( 30瓦特PEP ) -32分贝(典型值)
G
S
D
MRF171A
45 W, 150 MHz的
MOSFET宽带
射频功率场效应管
CASE 211-07 ,花柱2
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
漏极 - 栅极电压( RGS = 1.0 MΩ )
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
符号
典型值
价值
65
65
±
20
4.5
115
0.66
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W / ℃,
°C
°C
单位
° C / W
最大
单位
热特性
最大
1.52
电气特性
( TC = 25° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏源击穿电压
(ID = 50毫安, VGS = 0)
零栅极电压漏极电流
(VGS = 0时, VDS = 28 V)的
门源漏电流
( VGS = 20V时, VDS = 0)的
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
65
80
1.0
1.0
VDC
MADC
μAdc
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
REV 2
1