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MRF175GV 参数 Datasheet PDF下载

MRF175GV图片预览
型号: MRF175GV
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内容描述: N沟道MOS宽带射频功率FET [N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs]
分类和应用: 晶体晶体管射频放大器局域网
文件页数/大小: 11 页 / 214 K
品牌: MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
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半导体技术资料
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通过MRF175GU / D
射频MOSFET线
射频功率
场效应晶体管
N沟道增强模式
专为使用推挽宽带商业和军事应用
在频率为500兆赫的电路。的高功率,高增益和宽带
这些设备的性能成为可能的固态发射机FM
广播或电视信道的频带。
保证性能
MRF175GV @ 28 V , 225兆赫( “V”后缀)
输出功率 - 200瓦
功率增益 - 10 dB典型值
效率 - 65 %典型值
MRF175GU @ 28 V , 400兆赫( “U”后缀)
输出功率= 150瓦
功率增益 - 19 dB典型值
效率 - 55 %典型值
在额定输出功率的100%坚固性测试
低热阻
低C
RSS
- 20 pF的典型值@ V
DS
= 28 V
G
G
S
(法兰)
MRF175GU
MRF175GV
200/150瓦, 28 V, 500 MHz的
N沟道MOS
宽带
RF功率FET
D
CASE 375-04 ,花柱2
D
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
(R
GS
= 1.0 MΩ)
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
价值
65
65
±40
26
400
2.27
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W / ℃,
°C
°C
热特性
最大
0.44
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
(1)
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 50 mA)的
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 20 V, V
DS
= 0)
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
65
2.5
1.0
VDC
MADC
μAdc
(续)
处理和包装
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
转8
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