MRF175GV 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF175GV
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内容描述：	N沟道MOS宽带射频功率FET [N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs]
分类和应用：	晶体晶体管射频放大器局域网
文件页数/大小：	11 页 / 214 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

输入和输出阻抗

300

225

150

100

= 10

Ω

* =最佳负载的共轭

阻抗到其中的设备

工作在给定的输出功率，

电压和频率。

225

400

300

F = 500 MHz的

= 28 V，I

= 2×百毫安

兆赫

225

300

400

500

100

150

225

欧

OUT

= 150 W)

1.95 - j2.30

1.75 - j0.20

1.60 + j2.20

1.35 + j4.00

6.50 - j5.10

5.00 - j4.80

3.60 - j4.20

2.80 - j3.60

1.95 - j2.30

3.10 - j0.25

2.60 + j0.20

2.00 + j1.20

1.70 + j2.70

6.30 - j2.50

5.75 - j2.75

4.60 - j2.65

2.60 - j2.20

2.60 - j0.60

欧

150

100

OUT

= 200 W)

注意：给定的输入和输出阻抗值是从栅极到栅极和漏极分别测量流失。

图13.系列等效输入/输出阻抗

RF功率MOSFET的注意事项

MOSFET电容

的MOSFET的结果在电容器的物理结构

端子之间。金属氧化物栅极结构阻止 -

地雷从栅极到漏极的电容（C

），以及栅极 -

源（C

）。在制造过程中形成的PN结

的MOSFET的结果中的结电容，从漏极

到源极（C

这些电容的特点是输入（C

国际空间站

），输出

把（C

OSS

）和反向传输（C

RSS

数据）电容

床单。的端子间电容之间的关系

可用距离以及在数据表上给出如下所示。该

国际空间站

可以用两种方式来指定：

1.漏短接至源和正电压在门口。

排在2方面正电压源和零

伏在栅极。在后一种情况下的数字低。

然而，无论是方法表示实际operat-

荷兰国际集团在RF应用的条件。

漏

国际空间站

= C

+ C

OSS

= C

+ C

RSS

= C

提供有关设备的一般信息。他们是

没有RF设计参数，也没有试图提出，要

使用这些程序。

线性度和增益特性

除了在典型的IMD和功率增益，数据预

sented图3可以得到设计者的额外信息

化有关此设备的能力。该图表示

在给定漏极的小信号电流增益频率

电流电平。这相当于到f

对于双极型晶体管。

由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行

该装置不会发生。因此，在正常使用中，高

温度可能会降低这些特点在一定EX-

帐篷里。

排水特性

值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力

全条件。此导通电阻，V

DS （ ON）

，发生在

的输出特性的线性区域，并指定非

明镜特定测试条件为栅极 - 源极电压和漏极

电流。对于MOSFET的V

DS （ ON）

具有正温度

系数，构成一个重要的设计考虑因素

在高温下，因为它有助于电力

该设备内的功耗。

GATE特性

MOSFET的栅极是多晶硅材料，并且是

由氧化物层从源电隔离。该

输入电阻非常高 - 10的顺序

欧=

导致的几nA的漏电流。

门

来源

了C

国际空间站

在电气特性表中给出了

采用上述方法2测量。但是应当注意的是

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

于零的漏电流进行测量，并且

转8

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