半导体技术资料
订购此文件
通过MRF275L / D
射频功率
场效应晶体管
N沟道增强模式
专为使用单个宽带商业和军事应用
端电路的频率为500兆赫。的高功率，高增益和
该器件的宽带性能，使可能的固态发射机
对于调频广播或电视频道的频带。
•
保证性能@ 500兆赫， 28伏直流
输出功率 - 100瓦
功率增益 - 14 dB典型值
效率 - 55 ％典型值
•
在额定输出功率的100％坚固性测试
•
低热阻
•
低的Crss - 17 pF的典型值@ VDS = 28伏
G
射频MOSFET线
MRF275L
100 W， 28 V， 500 MHz的
N沟道
宽带
射频功率场效应管
D
CASE 333-04 ，花柱2
S
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
65
±
20
13
270
1.54
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.65
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0时， ID = 50 mA）的
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 28 V， VGS = 0 ）
门体漏电流
（ VGS = 20V时， VDS = 0）的
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
65
—
—
—
—
—
—
2.5
1.0
VDC
MADC
μAdc
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV2
1
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
