MRF313 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF313
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内容描述：	高频三极管NPN硅 [HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用：	晶体晶体管放大器
文件页数/大小：	3 页 / 86 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

半导体技术资料

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由MRF313 / D

射频线

NPN硅

高频三极管

。。。设计用于军事宽频带放大器，驱动器或振荡器应用中，

移动，和航空无线电。

•

规定的28伏， 400 MHz的特点 -

输出功率为1.0瓦

功率增益= 15分贝敏

效率= 45 ％典型值

•

发射器镇流器和低电流密度的提高MTBF

•

为提高稳定性共射

MRF313

1.0 W， 400兆赫

高频率

晶体管

NPN硅

CASE 305A -01 ，风格1

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

符号

首席执行官

CBO

EBO

英镑

价值

3.0

150

6.1

-65到+150

单位

VDC

MADC

瓦

毫瓦/°C的

°C

热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

θJC

最大

28.5

单位

° C / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（I

= 10 MADC ，我

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

= 5.0 MADC ，V

= 0)

集电极 - 基极击穿电压（I

= 0.1 MADC ，我

= 0)

发射极 - 基极击穿电压（I

= 1.0 MADC ，我

= 0)

集电极截止电流（V

= 20伏直流，我

= 0)

（ BR ） CEO

（ BR ） CES

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

首席执行官

3.0

—

1.0

VDC

MADC

（续）

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