MRF455 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF455
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内容描述：	RF功率晶体管NPN硅 [RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用：	晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	3 页 / 94 K
品牌：	MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]

半导体技术资料

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由MRF455 / D

射频线

NPN硅

RF功率晶体管

。。。设计用于在工业，商业功率放大器的应用程序和

业余无线电设备到30MHz 。

•

指定12.5伏， 30 MHz的特点 -

输出功率为60瓦

最小增益= 13分贝

效率 - 55 ％

核对程序

在推挽电路结构是优选的，该晶体管是

用作匹配的对，以获得最佳的性能。

使用M / A- COM的匹配过程包括测量H的

在

数据表中的条件和彩色设备的编码，以规定的高

范围

正常ħ内

极限。的彩色点被添加到在盖的顶部上的标记。

任何两个设备具有相同的色点可以配对在一起以形成

匹配的一套单位。

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

符号

首席执行官

CES

EBO

英镑

价值

4.0

175

1.0

-65到+150

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

°C

MRF455

60 W， 30兆赫

射频功率

晶体管

NPN硅

CASE 211-07 ，风格1

热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

θJC

最大

1.0

单位

° C / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

= 100 MADC ，我

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

= 50 MADC ，V

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

= 10 MADC ，我

= 0)

（ BR ） CEO

（ BR ） CES

（ BR ） EBO

4.0

—

VDC

基本特征

直流电流增益

= 5.0 ADC ，V

= 5.0伏）

—

150

—

动态特性

输出电容

= 12.5伏，我

= 0中，f = 1.0 MHz）的

—

250

（续）

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