半导体技术资料
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由MRF587 / D
射频线
NPN硅
高频三极管
。 。 。设计用于高增益，低噪声，超线性用途，调谐和宽带
放大器。非常适用于CATV ，美亚和仪器仪表应用。
•
低噪声系数 -
NF = 3.0分贝（典型值） @ F = 500 MHz时，我
C
= 90毫安
•
高功率增益 -
G
U（最大）
= 16.5分贝（典型值） @ F = 500 MHz的
•
离子注入
•
所有黄金金制度
•
高F
T
= 5.5 GHz的
•
低互调失真：
TB
3
= -70分贝
DIN = 125分贝
µV
•
镍铬合金发射极镇流电阻
MRF587
NF = 3.0 dB的0.5 GHz的
高频率
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
C
= 50°C
减免上述牛逼
C
= 50°C
存储温度范围
结温
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
英镑
T
J
价值
17
34
2.5
200
5.0
33
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
°C
CASE 244A -01 ，风格1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 5.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
C
= 0, I
E
= 0.1 MADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
17
34
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
50
VDC
VDC
VDC
μAdc
基本特征
直流电流增益（ 1 ）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
注意：
1. 300
µs
脉泰克576或同等学历。
h
FE
50
—
200
—
（续）
REV 6
1
MRF587
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
