应用说明
S2079
驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器
牧师V5
介绍
许多M / A - COM公司的GaAs FET开关和数字
衰减器不能用简单的TTL或直接操作
CMOS逻辑电路，而是需要外部电路以
提供适当的控制电压。此应用程序
注意， M539的更新，
驱动程序的GaAs MMIC FET
开关和数字衰减器，
提供信息
在M / A - COM的SW- 109和SWD- 119驱动器和
其它市售的数字逻辑集成电路的控制
的开关和数字衰减器。
图2
示出了一个3位的数字衰减器。应用
正确偏置电压和它的补码的任何阶段
切换垫为该阶段到的RF信号路径。
射频共
RF1
Q2
Q3
RF2
Q1
Q4
砷化镓场效应管的
砷化镓控制设备，如开关和
数字衰减器通常采用场效应
晶体管（ FET的） 。最常见的场效应晶体管是正
道耗尽型器件，其具有低的源 -
对漏极电阻在没有栅极偏压的，并且
允许电流IDSS的流动。用的应用程序
负栅极偏置电压，电场下
门使导电沟道变窄，
增加了源 - 漏电阻。门
电压产生足够高的电阻，以减小
在源 - 漏电流（典型）1 - 2％的
IDSS的是被称为夹断电压。对于M / A- COM
FET的,.夹断电压通常为-2.5伏。如果
该晶体管被偏置在极端， （0 V和-5 V
通常情况下） ，和关闭开关的结果，提供了
依据这两个砷化镓开关和数字
衰减器。
控制
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
控制
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
双控开关真值表
控制的控制B
-5 V
0V
0V
-5 V
射频共
为RF1
On
关闭
射频共
到RF2
关闭
On
典型的互补逻辑控制电压：
逻辑低
逻辑高
0 V至-2 V @ 20
μA
马克斯。
-5 V至40
μA
（典型值） 。到-8 V @ 200
μ
A最大。
开关电路拓扑
在开关场效应管的布置两个系列，并
分流器配置。该系列场效应管的提供
通路径为导通状态，而并联FET的
提供隔离为断开状态。的操作
交换机需要串联FET的和并联FET的
与每个开关状态相关联的具有相反（或
互补）导通状态，因此
相反（或补充）门的偏见。
为
例如，
图1
示出了一个典型的操作
双控SPST的GaAs MMIC开关。如果RF到
RF1路径是在与所述RF到RF2路径是关闭的，则
场效应管Q2和Q4偏上，而Q1和Q3是
偏置截止。
数字衰减器使用与电路串联/并联阶段
形成固定衰减器组件，
对应于数字衰减位，交换或
出的传送路径的，无论是单独或
组合。交换机需要补充的偏见
电压为每个状态，而数字衰减器要求
互补的偏置电压，以激活每个位。
1
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
图1：典型的双控开关（ SW- 239等）
VC1
VC1
VC2
VC2
VC3
VC3
RF 1
RF 2
16分贝
PAD
8分贝
PAD
4分贝
PAD
图2 ：基于开关垫数字衰减器
(AT-230)
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