匹配砷化镓SPDT开关， DC - 3
GHz，具有TTL / CMOS控制输入
V 4.00
SW10-0313
特点
n
积分TTL驱动器
n
低DC功耗
n
表面贴装封装
n
低成本/高性能
n
50欧姆的标称阻抗
CR-9
描述
M / A - COM的SW10-0313是GaAs FET单刀双掷吸收
开关与整体的ASIC芯片的驱动程序。封装在一个
16引脚的陶瓷表面贴装封装，该器件提供
卓越的性能和可重复性，从直流到3 GHz
同时保持低功耗。该
SW10-0313非常适合用于要求速度快，低
功耗和宽带应用是
所需。
电气规格
1,2
T
A
= +25°C
参数
插入损耗
测试条件
—
频率
直流 - 3000兆赫
直流 - 2000兆赫
直流 - 1000兆赫
DC - 500 MHz的
直流 - 3000兆赫
直流 - 2000兆赫
直流 - 1000兆赫
DC - 500 MHz的
直流 - 3000兆赫
直流 - 2000兆赫
直流 - 1000兆赫
DC - 500 MHz的
—
—
—
0.05 GHz的
0.5千兆赫至3千兆赫
0.05 GHz的
0.5千兆赫至3千兆赫
0.05 GHz的
0.5千兆赫至3千兆赫
—
—
单位
dB
dB
dB
dB
比
比
比
比
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
µA
µA
民
—
—
—
—
—
—
—
—
35
45
45
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.8
0.7
0.7
0.6
1.2:1
1.2:1
1.2:1
1.1:1
40
50
50
55
50
150
50
+25
+30
+60
+65
+40
+46
—
—
最大
1.2
1.1
0.9
0.8
1.4:1
1.35:1
1.35:1
1.3:1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
1
VSWR
—
隔离
—
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
1 dB压缩
IP2
IP3
VIN低
VIN高
10 ％至90％
1.3V的CTL对90 ％/ 10％的
带内
输入功率
双音输入功率高达+5 dBm的
双音输入功率高达+5 dBm的
0V至0.8V
2.0V至5.0V
1.所有规格适用时的+ 5V偏置电压为Vcc和-5V的V型操作。
2.当DC块时，一个10K欧姆返回GND所需的RFC端口。
MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
