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SWD-119TR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SWD-119TR
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内容描述: 砷化镓FET开关和衰减器单/ Quad驱动程序 [Single/Quad Drivers for GaAs FET Switches and Attenuators]
分类和应用: 开关接口集成电路光电二极管驱动衰减器
文件页数/大小: 5 页 / 320 K
品牌: MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
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砷化镓场效应管单/ Quad驱动程序
开关和衰减器
V 4.00
SWD-109/119
特点
n
高速CMOS技术
n
单通道( SWD- 109 )
n
四通道( SWD- 119 )
n
正电压控制
n
低功耗
n
低成本的塑料SOIC封装
SO- 8 ( SWD- 109 )
描述
社署- 109是用于转换一个通道驱动器
TTL控制输入到栅极的控制电压的GaAs FET
微波开关和衰减器。高速模拟
CMOS技术被用来实现低功耗的
消散在中高转速,涵盖最
微波开关应用。输出高电平
是任选的0至+ 2.0V (相对于GND ) ,以优化
在较低的控制装置的互调产物
频率。
社署-119是性能的四通道驱动器
类似于单个通道版本。
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
选择
参数
正DC
电源电压
负DC
电源电压
可选的DC
输出电源
电压
输出
负电源
电压范围
积极为负面
略去供应
电压范围
DC输入
电压
DC输入电流
DC输出
电压
DC输出
当前
存储
温度
-0.5
-9.0
-0.5
最大
5.5
0.5
2.0
单位
V
V
V
SO- 16 ( SWD- 119 )
V
选择
-V
EE
-0.5
9.0
V
V
CC
-V
EE
-0.5
14.5
V
V
I
I
I
V
O
V
O
T
英镑
-0.5
-25
V
EE
–0.5
-25
-65
V
CC
+0.5
25
V
选择
+0.5
25
150
V
mA
V
mA
°C
所有电压都参考GND 。所有输入和输出
合并闩锁保护的结构。