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    MBQ40T120FDS 参数 Datasheet PDF下载

    MBQ40T120FDS图片预览
    型号： MBQ40T120FDS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1200V 40A高速场终止沟道IGBT - TO- 247 [1200V 40A High speed FieldStop Trench IGBT-TO-247]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 1448 K
    品牌： MAGNETROL [ MAGNETROL INTERNATIONAL, INC. ]
     浏览型号MBQ40T120FDS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBQ40T120FDS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBQ40T120FDS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBQ40T120FDS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBQ40T120FDS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBQ40T120FDS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MBQ40T120FDS的Datasheet PDF文件第8页  
    联络人：肖先生
    136-3264-8484 /Jet.xiao@magnachip.com
    MBQ40T120FDS 1200V场终止沟道IGBT数据表
    MBQ40T120FDS
    高速场终止沟道IGBT
    概述
    这IGBT采用先进的MagnaChip公司的生产现场
    停止沟道IGBT技术，它提供了低V
    CE （ SAT ）
    ,
    高开关性能和优良的品质。
    这个装置是用于PFC ， UPS &逆变器应用。
    特点
    高速开关&低功耗
    V
    CE （ SAT ）
    = 2.0V @我
    C
    = 40A
    高输入阻抗
    t
    rr
    = 100ns的（典型值）。
    应用
    PFC
    UPS
    逆变器
    TO-247
    G
    C
    E
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 发射极电压
    栅极 - 发射极电压
    集电极电流
    集电极电流脉冲，脉冲时间限制T
    JMAX
    二极管的正向电流@ T
    C
    = 100°C
    二极管脉冲电流，脉冲时间限制T
    JMAX
    功耗
    短路承受时间
    V
    CE
    = 600V, V
    GE
    = 15V ，T
    C
    = 150°C
    允许短路号< 1000
    短路的时间
    ≥
    1.0s
    工作结存储温度范围
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =100°C
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =100°C
    符号
    V
    CES
    V
    GES
    I
    C
    I
    CM
    I
    F
    I
    FM
    P
    D
    等级
    1200
    ±20
    80
    40
    160
    40
    240
    357
    142
    10
    -55~150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    W
    W
    μs
    °C
    TSC
    T
    J
    , T
    英镑
    热特性
    特征
    热阻结到环境
    热阻结到外壳的IGBT
    热阻结到外壳的二极管
    2013年9月修订版0.0
    1
    符号
    R
    θJA
    R
    θJC
    R
    θJC
    等级
    40
    0.35
    0.8
    单位
    ° C / W
    MagnaChip公司半导体有限公司

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