高功率红外LED
产品编号：
MTE8560P
峰值发射波长： 850纳米
在850nm的高功率红外LED系列是专为应用程序要求精度高，
精度以及均匀的光谱发射。定制的一揽子解决方案和排序都可以。
FE的AT ü - [R （E S）
一个PPL我C A TI Ø北南
＆ GT ;
密封TO -18
＆ GT ;
高输出功率
＆ GT ;
镀金圆顶透镜
＆ GT ;
窄光束角/高可靠性
＆ GT ;
光学扫描
＆ GT ;
线性&旋转编码器
>边缘传感/光学传感器
>光开关/安全系统
绝对最大额定值（Ta = 25℃ ）
IT ê M传
类型代BO L
RA TI ñ GS
单位
正向工作电流（DC）的
正向电流（脉冲） * 1
反向电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
结温
IF
IFP
VR
PD
TOPR
TSTG
Tj
100
1
5
200
-20 ~ +85
-30 ~ +100
260
mA
A
V
mW
ºC
ºC
ºC
* 1 ：TW = 10微秒， T = 10毫秒。
电气&光学特性（Ta = 25℃ ）
IT ê M传
SYM B 0 1
C 0 N D我TI Ø北南
民
典型值
马X
单位
电源输出
正向电压
反向电流
峰值发射波长
光谱线半宽
半强度的光束角
PO
VF
IR
λp
∆λ
Ө
IF=50mA
IF=50mA
VR=5V
IF=50mA
IF=50mA
IF=50mA
--
--
--
--
--
--
6.0
1.5
--
850
45
±3
--
2.0
10
--
--
--
mW
V
µA
nm
nm
度
2011-09-28
全球总部， 3诺斯韦巷北莱瑟姆，NY 12110 ， USA
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1
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