东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62713N/F
推荐工作条件：
特征
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电压
列C0 〜 C6输出电流
行R0 〜 R4输出电流
逻辑
电源电压
高电平输入电流
低电平输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
交换条件
数据保持时间（ D-时钟）
数据建立时间（ D-时钟）
传播延迟（时钟D-出）
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间（时钟负载）
建立时间（负载时钟）
TDHO
TDST
tPDSO
TCLKH
TCLKL
Twld
tCLKLD
TLDCLK
CL=10pf
30
50
50
30
30
150
100
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
VDD
IIH
IIL
VIH
VIL
输入数据，
Load&Clock ， VIN = VDD
输入数据， Load&Clock ， VIN = 0V
4.5
—
—
0.7
VDD
—
—
—
—
—
—
5.5
1
-1
—
0.3
VDD
V
µA
µA
V
V
VCC
ICO
IRO
VCE=0.7V
VOUT=3.0V
4.0
—
—
—
—
—
15.0
50
-280
V
mA
mA
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