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2N6782_12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N6782_12
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内容描述: 这家2N6782的, 2N6784和2N6786开关晶体管是合格的军人到JANTXV水平高可靠性应用。 [This family of 2N6782, 2N6784 and 2N6786 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 843 K
品牌: MAS [ MICRO ANALOG SYSTEMS ]
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2N6782 , 2N6784和2N6786
电气特性
@ T
A
= 25 ℃,除非另有说明(续)
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷:
导通状态的栅极电荷
V
GS
= 10 V,I
D
= 3.50 ,V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.25 ,V
DS
= 100 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.25 A,V
DS
= 200 V
门源费
V
GS
= 10 V,I
D
= 3.50 ,V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.25 ,V
DS
= 100 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.25 A,V
DS
= 200 V
栅漏电荷
V
GS
= 10 V,I
D
= 3.50 ,V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.25 ,V
DS
= 100 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.25 A,V
DS
= 200 V
2N6782
2N6784
2N6786
2N6782
2N6784
2N6786
2N6782
2N6784
2N6786
符号
分钟。
马克斯。
单位
Q
G( ON)的
8.1
8.6
12
1.7
1.5
1.8
4.5
5.5
7.6
nC
Q
gs
nC
Q
gd
nC
开关特性
参数/测试条件
导通延迟时间
I
D
= 3.50 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 50 V
I
D
= 2.25 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 100 V
I
D
= 1.25 A,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 200 V
冲洗时间
I
D
= 3.50 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 50 V
I
D
= 2.25 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 100 V
I
D
= 1.25 A,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 200 V
打开-O FF延迟时间
I
D
= 3.50 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 50 V
I
D
= 2.25 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 100 V
I
D
= 1.25 A,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 200 V
下降时间
I
D
= 3.50 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 50 V
I
D
= 2.25 ,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 100 V
I
D
= 1.25 A,V
GS
= 10 V ,R
G
= 7.5
Ω,
V
DD
= 200 V
二极管的反向恢复时间
的di / dt = 100 A / μs的,V
DD
= 50 V,I
F
= 3.50 A
的di / dt = 100 A / μs的,V
DD
= 50 V,I
F
= 2.25 A
的di / dt = 100 A / μs的,V
DD
= 50 V,I
F
= 1.25 A
2N6782
2N6784
2N6786
2N6782
2N6784
2N6786
符号
分钟。
马克斯。
单位
t
D(上)
15
ns
t
r
25
20
20
ns
2N6782
2N6784
2N6786
t
D(关闭)
25
30
35
ns
2N6782
2N6784
2N6786
2N6782
2N6784
2N6786
t
f
20
20
30
180
350
540
ns
t
rr
ns
T4 - LDS -0064 ,第3版( 121467 )
© 2012 Microsemi的公司
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