低成本电压模式PWM
降压控制器
4 ）选择补偿电容C
6
以使误差
安培零等于复极点频率
LC电感器和输出电容器的：
C
6
=
L
×
C
OUT
R
3
MAX1967
LX
COMP / EN
DL
MAX1966/MAX1967
5V至28V FOR
栅极偏置
VIN
VL
VCC
BST
DH
3.3V
输入
V
OUT
输入电容的选择
输入电容（C
2
）降低噪音注入和
电流峰值从输入电源吸取。该
源阻抗输入电源的决定
的C值
2
。高源阻抗要求高
输入电容。输入电容必须满足
纹波电流（I
RMS
）通过所施加的
开关电流。 RMS输入纹波电流
由下式给出：
I
RMS
=
I
负载
×
V
OUT
×
(
V
VIN
−
V
OUT
)
V
VIN
GND
FB
R1
R2
为了获得最佳的电路可靠性，选择一个电容器
有不到10 ° C的温度上升的峰值纹波
PLE电流。
图5.低输入电压降压型有额外的偏置电源
栅极驱动
功率MOSFET选择
该MAX1966 / MAX1967s “降压控制器的驱动器
两个外部逻辑电平的N沟道MOSFET 。关键
选择的参数是：
1 ）导通电阻（R
DS （ ON）
），两个MOSFET的电流的
租金上限和效率
2 ）电流V的能力
L
（ MAX1967只）和栅极
电荷（Q
T
)
3 ）额定电压和最大输入电压
MOSFET功率耗散
最坏情况下的导通损耗发生在占空比
极端。用于高侧MOSFET ，最坏情况下的
功耗的电阻引起的最小
输入电压：
P
D(N1RESISTIVE)
=
V
OUT
V
VIN （MIN）
×
I
LOAD2
×
R
DS （ ON）
其中C
RSS
是N1的反向传输电容
我
门
是峰值栅极驱动源出/吸入电流
（ 1A典型值） 。为低侧N型场效应晶体管（N 2） ，最坏
功耗发生在最大输入电压
年龄：
V
P
D(N2)
=
1
−
OUT
×
I
负载
2
×
R
DS （ ON）
V
VIN
导通电阻的低侧MOSFET设置
MAX1966 / MAX1967电流限制。见
设置
电流限制
部分有关选择低信息
侧MOSFET ř
DSON
。对于设计提供5A或
少，因此有可能向高侧结合并
低端MOSFET集成到一个软件包（通常是8-
引脚SO ），如表1所示。对于更高的输出应用程序
阳离子，或那些效率更重要的是，
单独的FET通常优选的。
极低电压应用
在MAX1966 / MAX1967的用途极其广泛CON-
制器可以在各种应用中使用
其中，高效率，高输出功率，并opti-
而得到优化的成本是非常重要的。一名候补连接，
如图5所示，是有用的，当一个低电压电源
是要下台，以更低的电压高
电流。如果一个附加的偏置电源可用时，它可以
供应门从输入电源轨单独驱动。
这可以提高效率，也可以允许较低的成本
代替3V的情况下使用5V的逻辑电平的MOSFET
的MOSFET。
11
下面的开关损耗计算的高
侧N型场效应晶体管提供了一个近似，但没有substi-
土特评价：
I
P
D（ N1 /切换）
=
负载
×
V
VIN（最大）
2
×
f
OSC
×
C
RSS
I
门
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