微处理器监控电路
MAX791
+5V
V
CC
RESET
门槛
CE IN
V
CC
MAX791
CE OUT
15µs
100µs
CE IN
100µs
50Ω驱动器
RESET
RESET
GND
C
负载
CE OUT
图7.复位和芯片使能定时
图8. CE传输延迟测试电路
芯片使能信号选通
的MAX791提供的内部选通芯片使能
（CE）信号，以防止腐蚀的错误数据
该CMOS RAM中的一个电源故障的情况。中
正常操作中，在CE栅极被启用并穿过
所有的CE过渡。当复位有效，这条路
就从禁用，防止错误数据
破坏CMOS RAM 。该MAX791采用了一系列
从芯片使能输入端（CE IN）到发送门
CE的输出（图1）。
从CE IN的最大10ns的传播CE到CE OUT
使得能够与大多数的μP使用的MAX791 。
通过CE传输的传播延迟
栅极取决于在源阻抗
开车到CE IN和电容性负载上的CE OUT
（见芯片使能传输延迟与CE OUT
在负载电容图
典型工作
特性） 。
行政长官传播延迟生产
灰从50％点测试在CE中的50％的
在CE OUT采用50Ω驱动器负载和50pF的点
电容（图8） 。最小传播
延迟，最小化在CE OUT和使用容性负载
低输出阻抗驱动器。
芯片使能输入
IN CE为高阻抗（禁用模式），而RESET
为有效。
在掉电顺序为V
CC
通行证
4.65V ， IN CE呈现高阻抗状态时，
在CE IN的电压变高或为15μs后复位
断言，以先到为准（图7 ） 。
在上电顺序，在CE保持高电平
阻抗，无论CE的活动中，直到复位
拉高之后的复位超时周期。
在高阻方式时，漏电流成
该输入是± 1μA最大温度过高。在低
阻抗模式中， IN CE的阻抗显示为
一个75Ω的电阻串联的负载的CE输出。
芯片使能输出
在该模式下启用，CE OUT的阻抗
相当于75Ω串联在源驱动的CE
IN 。在禁用模式下， 75Ω的传输门
关闭和CE OUT积极拉至V
OUT
。此源
关断时，传输门处于开启状态。
LOWLINE输出
低线比较器监视V
CC
与典型的
阈值电压为150mV以上的复位门限，
并具有滞后15mV的。 LOWLINE典型汇
3.2毫安为0.1V 。以进行正常操作（Ⅴ
CC
上述
LOWLINE阈值） ， LOWLINE被拉至V
OUT
。如果
进入无管制的电源不可用，使用
LOWLINE提供一个不可屏蔽中断（NMI） ，以
微处理器为V
CC
开始下降（图9a） 。
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