27C1512T
512KB （ 32K ×16位）
OTP EPROM MCM
内存
逻辑图
F
EATURES
:
• 32K ×16位OTP EPROM组织
• R
AD
-P
AK
®抗辐射对自然空间辐射
化
•总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
•卓越的单粒子效应：
- SEL
TH
LET ： > 80兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
LET ： > 80兆电子伏/毫克/平方厘米
2
??包装：
- 40引脚ř
AD
-P
AK
† DIP
•低功耗：
- 主动模式： 500毫瓦@ 10兆赫
- 待机模式： < 11毫瓦
•高速网页和字编程：
- 页编程时间： 14秒（典型值）
•编程电源：
- V
PP
= 12.5 V ± 0.3 V
•一次性可编程
•管脚配置
- 闪存和掩模ROM兼容
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 27C1512T高密度512K一次性
可编程的电可编程只读存储器
多芯片模块（ MCM ）设有超过100拉德（SI ）
总剂量耐受性，取决于航天飞行任务。该
27C1512T具有快速地址，时间和低功率耗散
化。该27C1512T提供高速编程使用
页面编程模式。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
®提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选高达麦克斯韦技术自定义的类
K.
05年6月1日修订版4
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300-传真： （ 858 ） 503-3301- www.maxwell.com
©2005麦克斯韦技术
版权所有。
MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
