1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
(V
CC
= 5V， + 10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125
°
C)
P
ARAMETER
输出启用访问时间
CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出保持到地址变更
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
RES到输出延迟
3
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
S
YMBOL
t
OE
S
UBGROUPS
9, 10, 11
0
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
0
t
DFR
0
0
0
9, 10, 11
--
--
--
M
IN
28C011T
M
AX
U
尼特
ns
75
75
100
ns
--
--
--
ns
50
50
60
T
ABLE
7. 28C011T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
内存
300
350
450
ns
400
450
650
t
RR
1.测试条件：输入脉冲电平 - 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间为20ns < ;输出负载 - 1 TTL门+ 100pF电容（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
T
ABLE
8. 28C011T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGE
/B
YTE
E
RASE和
B
YTE
W
RITE
O
PERATIONS
(V
CC
= 5V， + 10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125
°
C)
P
ARAMETER
地址建立时间
-120
-150
-200
芯片使能写建立时间（我们控制）
-120
-150
-200
S
YMBOL
t
AS
S
UBGROUPS
9, 10, 11
0
0
0
t
CS
9, 10, 11
0
0
0
--
--
--
ns
--
--
--
M
IN 1
M
AX
U
尼特
ns
03年10月11日REV 10
所有数据表如有变更，恕不另行通知
4
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