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    28C011TRTFI-15 参数 Datasheet PDF下载

    28C011TRTFI-15图片预览
    型号： 28C011TRTFI-15
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1兆位（ 128K ×8位） EEPROM [1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM]
    分类和应用： 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 19 页 / 350 K
    品牌： MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
     浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第1页浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第2页浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第4页浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第5页浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第6页浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第7页浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第8页浏览型号28C011TRTFI-15的Datasheet PDF文件第9页  
    1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
    T
    ABLE
    5. 28C011T ç
    APACITANCE
    (T
    A
    = 25
    °
    C，F = 1兆赫）
    P
    ARAMETER
    输入电容： V
    IN
    = 0V
    1
    输出电容： V
    OUT
    = 0V
    1
    1.设计保证。
    S
    YMBOL
    C
    IN
    C
    OUT
    M
    IN
    --
    --
    28C011T
    M
    AX
    6
    12
    U
    尼特
    pF
    pF
    T
    ABLE
    6. 28C011T DC ê
    LECTRICAL
    C
    极特
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ，T
    A
    = -55
    TO
    +125
    °
    C,
    除非另有说明
    )
    P
    ARAMETER
    输入漏电流
    输出漏电流
    待机V
    CC
    当前
    工作V
    CC
    当前
    T
    美东时间
    C
    ONDITION
    V
    CC
    = 5.5V, V
    IN
    = 5.5V
    V
    CC
    = 5.5V, V
    OUT
    = 5.5V/0.4V
    CE = V
    CC
    CE = V
    IH
    I
    OUT
    = 0毫安，占空比为100％ ，周期=
    1μ s的V
    CC
    = 5.5V
    I
    OUT
    = 0毫安，占空比为100％ ，周期=
    为150ns在V
    CC
    = 5.5V
    输入电压
    RES_PIN
    输出电压
    I
    OL
    = 2.1毫安
    I
    OH
    = -0.4毫安
    1. I
    LI
    在RES = 100微安最大。
    1, 2, 3
    1, 2, 3
    1, 2, 3
    1, 2, 3
    S
    UBGROUPS
    1, 2, 3
    1, 2, 3
    1, 2, 3
    S
    YMBOL
    I
    IL
    I
    LO
    I
    CC1
    I
    CC2
    I
    CC3A
    I
    CC3B
    V
    IL
    V
    IH
    V
    H
    V
    OL
    V
    OH
    M
    IN
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    2.2
    V
    CC
    -0.5
    --
    2.4
    M
    AX
    2
    1
    2
    20
    1
    15
    50
    0.8
    --
    --
    0.4
    --
    V
    V
    U
    尼特
    µA
    µA
    µA
    mA
    mA
    内存
    T
    ABLE
    7. 28C011T AC ê
    LECTRICAL
    C
    极特FOR
    R
    EAD
    O
    PERATION 1
    (V
    CC
    = 5V， + 10 ％ ，T
    A
    = -55
    TO
    +125
    °
    C)
    P
    ARAMETER
    地址访问时间
    CE = OE = V
    IL
    我们= V
    IH
    -120
    -150
    -200
    芯片使能存取时间
    OE = V
    IL
    我们= V
    IH
    -120
    -150
    -200
    S
    YMBOL
    t
    加
    S
    UBGROUPS
    9, 10, 11
    --
    --
    --
    t
    CE
    9, 10, 11
    --
    --
    --
    120
    150
    200
    120
    150
    200
    ns
    M
    IN
    M
    AX
    U
    尼特
    ns
    03年10月11日REV 10
    所有数据表如有变更，恕不另行通知
    3
    © 2003麦克斯韦技术
    版权所有。

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