28C256T
256K EEPROM （ 32K ×8位）
EEPROM
V
CC
GND
数据输入/输出
I / O0 - I / O7
OE
WE
CE
OE ，CE ，我们
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
细胞矩阵
Y译码
地址
输入
X解码器
鉴定
逻辑图
内存
F
EATURES
:
• R
AD
-P
AK
®抗辐射对自然空间辐射
化
•总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，依赖于太空任务
•卓越的单粒子效应：
- SEL
TH
LET ： > 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
LET （读取模式）： > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
LET （写模式） ： > 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
??包装：
- 28引脚ř
AD
-P
AK
®扁平封装
- 28引脚ř
AD
-P
AK
† DIP
- JEDEC批准字节宽的引脚
•高速：
- 提供最高120 ， 150 ns访问时间
•高耐力：
- 10,000擦除/写入（在页模式下） ， 10年数据
保留
•页写模式：
- 1至64个字节
•低功耗：
- 15毫安有功电流（周期= 1 μ S）
- 20 μA待机电流（CE = V
CC
)
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 28C256T高密度256K位
EEPROM的微电路设有超过100拉德（SI ）
总剂量耐受性，取决于航天飞行任务。该
28C256T是能够在系统电字节和页亲
grammability 。它有一个64字节的页编程功能
使其擦除和写入操作速度更快。它还具有
数据查询来表示完成擦除和编程的
明操作。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
02年2月18日第5版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
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