256K EEPROM （ 32K ×8位） EEPROM
28C256T
T
ABLE
7. 28C256T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
CE到输出的延迟OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
OE为输出延迟CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
从地址CE = OE = V输出保持
IL
我们= V
IH
-120
-150
OE （ CE）高到输出浮法CE = V
IL
我们= V
IH 2
-120
-150
S
UBGROUPS
9, 10, 11
S
YMBOL
t
加
--
--
9, 10, 11
t
CE
--
--
9, 10, 11
t
OE
0
0
9, 10, 11
t
OH
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
50
50
--
--
ns
75
75
ns
120
150
ns
120
150
ns
M
IN
M
AX
U
尼特
ns
内存
1.
测试条件：输入脉冲电平 - 0V到3V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载 - 1 TTL门+ 100 pF的（包括范围和夹具） ; REF-
erence水平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
T
ABLE
8. 28C256T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGE
/B
YTE
E
RASE和
W
RITE
O
PERATIONS
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址建立时间
-120
-150
CE写建立时间
-120
-150
WE写建立时间
-120
-150
我们认为时间
-120
-150
S
UBGROUPS
S
YMBOL
t
AS
M
IN1
0
0
t
CS 2
T
YP
--
--
M
AX
--
--
ns
0
0
t
WS 3
--
--
--
--
ns
0
0
t
WH 3
0
0
--
--
--
--
--
--
ns
U
尼特
ns
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
02年2月18日Rev5
所有数据表如有变更，恕不另行通知
4
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