3.3V 1兆位( 128K ×8位) EEPROM
F
IGURE
9. T
OGGLE
B
IT
W
AVEFORM
28LV010
内存
EEPROM的一个
PPLICATION
N
OTES
本应用笔记介绍了编程程序的EEPROM模块,并与各种细节
技术来保护数据的保护。
自动翻页写
页模式写功能使数据的1到128个字节将被写入到EEPROM中的一个单独的写周期,并
允许范围内的128个字节未定义的数据,以对应于未定义的地址(A0至A6)被写入。加载中
数据的第一字节,数据负载打开窗口30 μ S为第二个字节。中相同的方式每增加一个字节
数据可以在30 μ s内加载。如果CE和WE保持高100 ( s的数据输入后, EEPROM进入
擦除和自动写入方式,只将输入数据写入到EEPROM中。
WE CE引脚操作
在写周期,地址由WE或CE的下降沿锁存的,并且数据是通过的上升沿锁存
WE或CE 。
数据轮询
数据查询功能,允许确定EEPROM的状态。如果EEPROM被设置为读模式期间
写周期,数据的最后一个字节的反转待装载的输出从I / O 7 ,以指示EEPROM是per-
形成一个写操作。
RDY / BUSY信号
RDY /忙信号也允许比较操作,以确定对EEPROM的状态。在RDY /忙信号
具有高阻抗,除了在写周期和下降到V
OL
后的第一个写信号。在一个写周期的末端,
在RDY /忙信号改变状态为高阻抗。
03年3月14日第六版
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