3.3V 1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
T
ABLE
7. 28LV010 AC - C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION1
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址访问时间
-200
-250
芯片使能存取时间
-200
-250
输出启用访问时间
-200
-250
T
美东时间
C
ONDITIONS
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
t
CE
OE = V
IL
我们= V
IH
t
OE
CE = V
IL
我们= V
IH
t
OH
9, 10, 11
0
0
t
DF
CE = V
IL
我们= V
IH
t
DFR
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
t
RR
CE = OE = V
IL
WE = V
IH
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
--
--
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
M
IN
28LV010
M
AX
200
250
U
NIT
ns
ns
200
250
ns
110
120
ns
--
--
ns
50
50
ns
300
350
ns
525
600
输出保持到地址变更
-200
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-250
输出禁止到高阻
2
-200
-250
输出禁止到高阻
-200
-250
RES到输出延迟
3
-200
-250
内存
1.测试条件：输入脉冲电平 - 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载 - 1 TTL门+ 100 pF的（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2.
t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
03年3月14日第六版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
4
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