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28LV011RT1FB-20 参数 Datasheet PDF下载

28LV011RT1FB-20图片预览
型号: 28LV011RT1FB-20
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内容描述: 3.3V 1兆位( 128K ×8位) EEPROM [3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 19 页 / 305 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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28LV011
3.3V 1兆位( 128K ×8位)
EEPROM
V
CC
V
SS
水库
OE
CE
WE
水库
I / O缓冲器和
输入锁存
控制逻辑时序
高压
发电机
I/O0
I/O7
RDY / BUSY
28LV011
A0
A6
地址
缓冲区和
LATCH
A7
A16
Y译码
ÿ门控
X解码器
存储阵列
数据锁存器
逻辑图
内存
F
EATURES
:
• 3.3V低电压工作128K ×8位EEPROM
• R
AD
-P
AK
®抗辐射对自然空间
辐射
•总剂量硬度:
- > 100拉德(SI ) ,根据航天任务
•卓越的单粒子效应:
- SEL
TH
> 84兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
> 37兆电子伏/毫克/平方厘米
2
(阅读模式)
- SEU饱和截面= 3E - 6厘米
2
(阅读模式)
- SEU
TH
= 11.4兆电子伏/毫克/平方厘米
2
(写模式)
- SEU饱和截面= 5E - 3厘米
2
(写模式)
与硬错误
??包装:
- 32引脚ř
AD
-P
AK
®扁平封装
- 32引脚ř
AD
-P
AK
† DIP
- JEDEC批准的字节宽的引出线
•地址访问时间:
- 可用200 , 250 ns的访问时间
•高耐力:
- 10,000擦除/写入(在页模式下) , 10年数据
保留
•页写模式:
- 1到128个字节
•自动编程
- 15毫秒自动翻页/写字节
•低功耗
- 为20 mW / MHz的工作电流(典型值)。
- 72 μ W待机(最大值)
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 28LV011高密度, 3.3V , 1兆位
EEPROM的微电路设有超过100拉德(SI )
总剂量耐受性,取决于航天飞行任务。该
28LV011能够在系统电气字节和页式的亲
grammability 。它有一个128字节的页编程功能
使其擦除和写入操作速度更快。它还具有
数据轮询和就绪/忙信号指示完井
化的擦除和编程操作。在28LV011 ,
硬件数据保护提供了RES引脚,在额外
重刑噪声保护的WE信号,并写上抑制
打开和关闭电源。同时,软件的数据保护
采用符合JEDEC标准的可选算法来实现。
该28LV011是专为在最高可靠性
苛刻的空间应用。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽,同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上,R
AD
-P
AK
®提供大于100
拉德( Si)的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
注:电源在数据保护的形式推荐
开/关是要按住RES引脚连接到V
SS
在上电和断电
下来。这可能是伴随着连接RES引脚
到CPU的复位线。未能提供足够的保护
电源开/关时,可能会导致丢失的或修改的数据。
02年5月28日第2版
所有数据表如有变更,恕不另行通知
1
( 858 ) 503-3300 - 传真: ( 858 ) 503-3301- www.maxwell.com
©2002麦克斯韦技术
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