3.3V 1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
字节负载循环
-200
-250
数据锁存时间
2
-200
-250
字节加载窗口
2
-200
-250
时间到设备忙
-200
-250
写开始时间
-200
-250
RES写建立时间
2
-200
-250
V
CC
到RES建立时间
2
-200
-250
S
UBGROUPS
9, 10, 11
S
YMBOL
t
BLC
1
1
9, 10, 11
t
DL
700
750
9, 10, 11
t
BL
100
100
9, 10, 11
t
DB
100
120
9, 10, 11
t
DW
250
250
9, 10, 11
t
RP
100
100
9, 10, 11
t
水库
1
1
M
IN
28LV011
M
AX
30
30
ns
--
--
µs
--
--
ns
--
--
ns
--
--
µs
--
--
µs
--
--
U
NIT
µs
T
ABLE
8. 28LV011 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
E
RASE和
W
RITE
O
PERATIONS
内存
1. t
WC
长度必须大于该值，除非轮询技术或RDY / BSY被使用。该设备自动完成
在该值的内部写入操作。
2.设计保证。
T
ABLE
9. 28LV011 M
ODE
S
ELECTION1,2
M
ODE
读
待机
写
DESELECT
写禁止
数据轮询
节目
1， X =无关。
2.参考建议的直流工作条件。
02年5月28日第2版
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
水库
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY
高-Z
高-Z
高阻--> V
OL
高-Z
--
--
V
OL
高-Z
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
--
--
数据输出（ I / O7 ）
高-Z
所有数据表如有变更，恕不另行通知
6
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