29F0408
32兆位（ 4M ×8位）
FL灰内存
逻辑图
内存
F
EATURES
:
•单5.0 V电源
•卓越的单粒子效应
· - SEL
TH
： > 60兆电子伏/毫克/平方厘米
2
· - SEU
TH
： = 37兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU饱和截面： 2E - 6厘米
2
/位
•组织：
- 存储单元阵列： （ 400 + 128K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x 8位
•自动编程和擦除
- 页面程序： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 8K + 256 ）字节
- 状态寄存器
• 528字节的页读操作
- 随机访问： 10 μ秒（最大）
- 串行页面访问： 50纳秒（分钟）
•快速写周期时间
- 计划时间： 250 μ S（典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）
•命令/地址/数据复用I / O端口
•硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
•可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力：100万编程/擦除周期
- 数据保存：10年
•命令寄存器操作
• 44引脚扁平封装
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 29F0408高性能闪存存储器
ORY 。该29F0408是4M （ 4,194,304 ） ×8位NAND闪存
内存备用128K （ 131,072 ）× 8位。一个编程操作
ATION计划528字节页250 μ s和擦除
操作可在2毫秒的8K字节的块上进行。数据
在页面内可以在每字节的50ns的周期时间被读出。
芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除
功能，包括脉冲重复，在必要时和跨
最终检验和数据的裕度。即使是写密集型系统
可以利用29F0408的扩展的可靠性
百万程序/提供任何ECC擦除周期
（纠错码）或实时映射出的算法。
这些算法已经在许多海量存储已实施
年龄的应用程序。备用16个字节的页面结合
另512个字节可以由系统级的ECC被利用。该
29F0408是对于大的非易失性存储的最佳解决方案
应用，例如固态存储器，数字录音器，
数字静态照相机等便携式应用需要
非易失性。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。能够幸存于太空环境中，
29F0408是理想的卫星，飞船和太空探测器
任务。它是可用的包装和筛选高达
一流的S.
02年8月11日第2版
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