32C408B
4兆位（ 512K ×8位） SRAM
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
VCC
VSS
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
36
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
ROW
解码器
存储矩阵
1024行× 4096柱
DQ0
32C408B
VSS
VCC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
CS
DQ7
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
A18
A17
A16
A15
A14
A3
A2
A1
A0
DQ0
内存
WE
OE
DQ7
18
19
NC
逻辑图
F
EATURES
:
• 512K的×8位CMOS架构
• R
AD
-P
AK
®技术强化对自然空间辐射
ATION
•总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
•单事件效应：
- SEL
TH
： > 68兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
： < 3MeV /毫克/平方厘米
2
- SEU饱和截面： 6E - 9厘米
2
/位
??包装：
-36针ř
AD
-P
AK
®扁平封装
•快速传播时间：
-20 ， 25 ， 30 ns的最大访问时间
•单5V ±10％电源
•低功耗：
- 待机： 60毫安（ TTL ） ; 10毫安（ CMOS）的
- 操作：180 MA（ 20纳秒） ; 170毫安（ 25纳秒） ; 160毫安（ 30
NS ）
• TTL兼容的输入和输出
•全静态工作
- 无时钟或刷新要求
•三态输出
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 32C408B高速4兆位的SRAM
微电路设有超过100拉德（ Si）的总剂量
宽容，取决于航天飞行任务。基于R
AD
-P
AK
®
包装技术，该32C408B实现更高的密度，
更高的性能和更低的功耗，并且是很好
适用于高速系统中的应用。它的全静态设计
省去了外部时钟，而在CMOS税务局局长
cuitry降低了功耗，并提供了更高的可靠性
的能力。该32C408B配有8个通用输入/
输出线，片选和输出使能，允许
更大的系统灵活性和消除总线争用。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
可以提供比真正的更大的
100拉德（ Si）的总辐射剂量的耐受性;依赖
太空任务。获得专利的抗辐射ř
AD
-P
AK
技术结合辐射屏蔽的微电路
封装。它省去了框屏蔽而provid-
荷兰国际集团所需的辐射屏蔽在轨道上或一辈子
太空任务。本产品可与包装
筛选高达类S.
02年2月5日第七版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
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