33C408
4兆位（ 512K的×8位）的
CMOS SRAM
内存
逻辑图
F
EATURES
:
• R
AD
-P
AK
®技术抗辐射
对自然空间辐射
• 524,288 ×8位的组织
•总剂量硬度：
- > 100拉德（Si）的，这取决于空间误
锡永
•卓越的单粒子效应
·
- SEL
TH
： > 68兆电子伏/毫克/平方厘米
2
· - SEU
TH
：= 3兆电子伏/毫克/平方厘米
2
•
- SEU饱和截面： 6E - 9厘米
2
/位
包装：
- 32引脚ř
AD
-P
AK
®扁平封装
- 32引脚无-R
AD
-P
AK
®扁平封装
快速存取时间：
- 20 ，最高25 ， 30 ns的可用时间
单5V ±10％电源
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗：
- 待机： 60毫安（ TTL ） ; 10毫安（ CMOS ）
- 运行：180 MA（ 20纳秒） ; 170毫安（ 25纳秒） ;
160毫安（ 30纳秒）
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 33C408的高密度4
兆位的SRAM微电路有大于
100拉德（ Si）的总剂量耐受性，这取决于
太空任务。利用麦克斯韦辐射硬
ened ř
AD
-P
AK
®封装技术， 33C408
实现了高密度，高性能和低
功耗。它的全静态设计消除
止数据需要外部时钟，而
CMOS电路降低功耗，
提供了更高的可靠性。该33C408配
与八个通用输入/输出线，芯片选择
和输出使能，从而实现更大的系统flex-
ibility和消除总线争用。在33C408
拥有同样先进的512K ×8位的SRAM ，
高速和低功耗的需求的COM
商用对口。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
packag-
荷兰国际集团技术结合在辐射屏蔽
微电路封装。它省去了
框，同时提供所需的辐射屏蔽
屏蔽在轨道或太空任务的一生。在
地球同步轨道，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品是
可与筛选来上课S.
•
•
•
•
•
•
02年4月16日8 REV
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300 - 传真： （ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com
©2002麦克斯韦技术
版权所有。
MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
