33LV408
4兆位（ 512K的×8位）的
CMOS SRAM
33LV408
内存
逻辑图
F
EATURES
:
• R
AD
-P
AK
®技术抗辐射抗自然
空间辐射
• 524,288 ×8位的组织
•总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
•卓越的单粒子效应
· - SEL
TH
： > 101兆电子伏/毫克/平方厘米
2
· - SEU
TH
：= 3兆电子伏/毫克/平方厘米
2
•
•
•
•
•
•
•
- SEU饱和截面： 6E - 9厘米
2
/位
包装：
- 32引脚ř
AD
-P
AK
®扁平封装
快速存取时间：
- 20 ，最高25 ， 30 ns的可用时间
3.3V单电源+ 10 ％电源
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗：
- 待机： 60毫安（ TTL ） ; 10毫安（ CMOS ）
- 运行：150 MA（ 20纳秒） ; 140毫安（ 25纳秒） ;
130毫安（ 30纳秒）
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 33LV408高密度的4兆位
SRAM微电路一个大于100拉德（ Si）的总特点
剂量耐受性，取决于航天飞行任务。使用MAX-
良好的抗辐射ř
AD
-P
AK
®封装技术，该
33LV408实现一个高密度，高性能和低
功耗。它的全静态设计省去了
外部时钟，而CMOS电路降低功耗
耗，并提供更高的可靠性。该33LV408是
配备有8共同的输入/输出线，芯片选择
和输出使能，从而可获得更大的系统灵活性，并
消除了总线争用。该33LV408功能相同
先进的512K ×8位的SRAM ，高速和低功耗
需求的商业对手。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
®提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
04年2月4日第2版
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1
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