256MB （ 4 -MEG ×16位×4 -银行） SDRAM
48SD1616
阅读与自动预充电（读取） ：
该命令会自动后进行预充电操作
突发读取用的1 ，2，4 ，或8的突发长度。
列地址选通和写命令（令状） ：
此命令启动写操作。当
突发写入模式时，列地址（ AY0到AY8 ）和银行选择地址（ BA0 / BA1 ）
成为猝发写起始地址。当选择单次写入模式下，数据只写入到
由列地址（ AY0到AY8 ）和银行选择地址（ BA0 / BA1 ）指定的位置。
写带自动预充电（令状内） ：
该命令会自动后进行预充电操作
同的1 ，2，4 ，或8的长度猝发写，或经过一个单一的写操作。
行地址选通和银行激活（ ACTV ） ：
此命令激活被选中的银行
BA0 / BA1 （BS）和确定的行地址（ AX0到AX12 ） 。当BA0和BA1低，银行0
激活。当BA0低， BA1为高，银行1被激活。当BA0是高和BA1是低，银行
2被激活。当BA0和BA1高，银行3被激活。
预充电选择银行（ PRE ） ：
此命令启动预充电操作由BA0选择银行/
BA1 。如果BA0和BA1低，银行选择0 。如果BA0是低和BA1是高，银行1被选中。如果BA0
是高和BA1是低，银行2中选择。如果BA0和BA1高，银行3被选中。
预充电所有银行（ PALL ） ：
此命令启动一个预充电操作适用于所有银行。
刷新（ REF / SELF ） ：
此命令启动刷新操作。有两种类型的刷新的
运营;一种是自动刷新，而另一个是自刷新
1
。有关详细信息，请参阅CKE真值表
部分。
模式寄存器设置（ MRS） ：
SDRAM中有一个模式寄存器定义它如何运作。模式寄存器中
由地址引脚（ A0至A12， BA0 andBA1 ）在模式寄存器中设置的周期指定。有关详细信息，请参阅
模式寄存器的配置。接通电源后，模式寄存器的内容是不确定的，执行
模式寄存器设置命令来设置模式寄存器。
内存
1.自刷新只能在温度低于70使用
°C.
05年7月1日REV 4
所有数据表如有变更，恕不另行通知
9
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