256MB （ 4 -MEG ×16位×4 -银行） SDRAM
T
ABLE
5. AC电气特性
48SD1616
M
IN
10
7.5
T
YP
M
AX
U
NIT
ns
(V
CC
=3.3V + 0.3V, V
CC
Q = 3.3V + 0.3V ，T
A
= -55
TO
125°C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
系统时钟周期
1
（ CAS延时= 2 ）
（ CAS延时= 3 ）
CLK高脉冲宽度
1,7
CLK低脉冲宽度
1,7
从CLK访问时间
1,2
（ CAS延时= 2 ）
（ CAS延时= 3 ）
数据输出保持时间
1,2
CLK到数据输出低阻抗
1,2,3,7
CLK到数据输出高阻抗
1,4,7
（ CAS延时= 2 ， 3 ）
输入建立时间
1,5,6
CKE建立时间掉电退出
1
输入保持时间
1,6
REF /主动为参考/主动命令时期
1
主动到预充电命令期
1
主动命令列命令
（同一银行）
1
预充电到激活命令时期
1
写恢复或数据到预充电交货时间
1
有源（一）活动（二）指令周期
1
转换时间（上升和下降）
7
刷新周期
S
YMBOL
t
CK
S
UBGROUPS
9, 10, 11
t
长实
t
CKL
t
AC
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
2.5
2.5
6
6
ns
ns
ns
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
AS
, t
CS ，
t
DS
, t
CES
t
CESP
t
AH
, t
CH
, t
DH
t
CEH
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RP
t
DPL
t
RRD
t
T
t
REF
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
@ 105 °C
8
@ 85 °C
2.7
2
5.4
1.5
1.5
1.5
70
50
20
20
20
20
1
16
32
64
5
6.4
16
8
120000
ns
ns
ns
ns
内存
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
@ 70 °C
128
1. AC测量假设吨
T
= 1ns的。参考电平对输入信号的定时是1.5V 。
2.访问时间是在1.5V 。
3. t
LZ
（分钟）限定在其中的输出端达到低阻抗状态的时间。
4. t
HZ
（分钟）限定在其中的输出端实现thehigh阻抗状态的时间。
5. t
CES
定义CKE建立时间CLK上升沿除了掉电exit命令
6. t
AS
/t
AH
：地址，T
CS
/t
CH
： / CS ， / RAS ， / CAS ， / WE ， DQMU / DQML
7.保证为设计使然。 （未测试）。
8.器件特性保证为Tesing 。 （未经100％测试）
05年7月1日REV 4
所有数据表如有变更，恕不另行通知
5
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