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5962-3826716M7V 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 5962-3826716M7V
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内容描述: 微型电路,存储器,数字, CMOS 128K ×8位EEPROM ,单片硅 [MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON]
分类和应用: 存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 40 页 / 315 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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3.9检验和审查设备类M.
对于设备类男, DSCC , DSCC的经纪人和收购活动保留
选择查看制造商的设备和应用要求的文件。离岸文件应提供
陆上的审阅者的选择。
对于设备类M.设备类M器件包括在本图中3.10微电路组分配应以微电路
组号41 (见MIL -PRF- 38535 ,附录A) 。
3.11工艺的EEPROM 。所有的测试要求和质量保证本法规定应当由满足
交货前制造商。
3.11.1条件所提供的设备。设备将在未编程或透明状态提供。没有规定将
供应编程的设备进行。
3.11.2擦除的EEPROM 。当指定的设备应按照程序和特性被删除
在4.5.1规定。
3.11.3 EEPROM的编程。当指定的设备应按照程序进行编程和
在4.5.2规定的特性。
3.11.4验证的EEPROM的状态。当指定的设备应核实任何写入指定的模式
或清零。作为最低要求,验证应包括执行整个阵列的读出的,以验证所有位都在合适的
状态。任何有点不确认是在正常状态即构成设备故障和设备应当自被删除
地段或样品。
的EEPROM 3.11.5电源序列。为了减少疏忽造成的写操作的可能性,以下功率
供应顺序应遵守。
一。对于设备类型1-19 ,逻辑高状态应施加WE和/或CE在同一时间或在应用前
的VCC 。对于设备类型16-19 ,附加的预防措施是可用的,一个逻辑低状态,应施加在向RE S
同时或VCC的应用之前。
B 。对于设备类型1-19 ,逻辑高状态应施加WE和/或CE在同一时间或切除之前
VCC 。对于设备类型16-19 ,附加的预防措施是可用的,一个逻辑低状态,应施加在向RE S
同时或切除的VCC之前。
3.12耐力。一个可重编程性试验应可完成作为供应商的可靠性监视器的一部分。这
可重编程性试验应进行初步鉴定后任何设计或工艺变化可能影响完成
可重编程的器件。该方法和程序可以是特定的供应商,但应保证数
编程/擦除在1.3节本文在整个军用温度范围内上市的读写周期。供应商的过程
应保存文档控制之下,并于取得或编制活动的请求应予以提供,以及
测试数据。
3.13数据保存。数据保持压力测试应完成的供应商的可靠性监视器的一部分。本试验
对于初始特性和任何设计或工艺变化可能影响数据保留之后进行。的方法和
程序可能是特定的供应商,但必须保证年1.3节所列的数量本文在整个军用
温度范围。该供应商的过程应保持文件控制之下,并根据要求应提供
的获取或制备的活性,随着测试数据。
SIZE
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
DSCC FORM 2234
APR 97
A
修订级别
G
5962-38267
6