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5962-3826717VNV 参数 Datasheet PDF下载

5962-3826717VNV图片预览
型号: 5962-3826717VNV
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内容描述: 微型电路,存储器,数字, CMOS 128K ×8位EEPROM ,单片硅 [MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON]
分类和应用: 存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 40 页 / 315 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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表一,电气性能特点 - 持续。
TEST
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|符号
|
|
|
|
| tOLQX
|
|
|
| tOHQZ
|
|
|
| tAXQX
|
|
|
|
|
|tWHWL1
|tEHEL1
|
|
|
|
| tAVWL
|塔维尔
|
|
| tWLAX
| tELAX
|
|
|
| tELWL
| tWLEL
|
|
| tWHEH
| tEHWH
|
|
| tOHWL
| tOHEL
|
|
| tWHOL
| tEHOL
|
|
| tWLWH
| tELEH
|
|
| tDVWH
| tDVEH
|
|
|
|
条件
| -55
(
C

TC

+125
(
C
| VSS = 0 V ; 4.5 V

VCC

5.5 V
|除非另有规定
|
|参见图4,图5,图6为
|适用。 5 /
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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| A组
|分组
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|9, 10, 11
|
|
|
|
|设备
|类型
|
|
|
|全部
|
|
|
| 01-06
| 07-19
|
|
|全部
|
|
| 01,03,
| 05,07,
| 09,11,
| 16-19
| 02,04
| 06
| 08,10,
| 12-15
|
|全部
|
|
| 16-19
| 01-08,
| 13
| 09-12,
| 14,15
|
|全部
|
|
|
|全部
|
|
|
| 01-15
|
| 16-19
|
| 01-15
|
| 16-19
|
| 01-15
|
| 16-19
| 16-19
| 01-08,
| 13
| 09-12,
| 14,15
|
|极限
|
|
| MIN | MAX
|
|
|
|
| 0
|
|
|
|
|
|
|
|
| 55
|
| 50
|
|
|
|
| 0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 10
|
|
|
|
|
| 5
|
| 3
|
|
|
|
| 0
|
|
|
|
|
| 150
|
| 70
|
|
|
|
|
| 50
|
|
|
| 0
|
|
|
|
|
|
|
| 0
|
|
|
|
|
|
|
| 10
|
|
|
| 0
|
|
|
| 10
|
|
|
| 0
|
|
|
| 100
|
|
|
| 250
|
| 100
|
| 60
|
|
|
| 40
|
|
|
|
|单位
|
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
|
|
|女士
|
|
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
| NS
|
|
|
OE在低Z输出
4/
输出禁止输出
在高Z
4/
从地址输出保持
变化
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
写建立时间
写保持时间
OE建立时间
OE保持时间
把脉冲宽度(页面
或字节写入)
数据建立时间
参见脚注表的末尾。
SIZE
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
DSCC FORM 2234
APR 97
A
修订级别
G
5962-38267
10