69F1608
128兆位（ 16M ×8位）
闪存模块
（ 1模4 ）逻辑图
内存
F
EATURES
:
•单5.0 V电源
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 69F1608高性能闪存存储器
储器是16M ×8位NAND闪存与备用128K
（ 131,072 ）× 8位。程序运行程序的528个字节
在250 μ s页和擦除操作可以在2进行
ms的8K字节的块。在页面内的数据可以被读出，在
50 ns的每字节循环时间。片上写控制器自动
所有队友编程和擦除功能，包括脉冲repeti-
化，在需要和内部验证和数据的裕度。
即使是写密集型系统可以利用的
69F1608的扩展1,000,000程序的可靠性/擦除
周期提供任何ECC （纠错码）或实
时间映射出的算法。这些算法已
在许多大容量存储的应用程序来实现。备用
16字节的页加上其它512个字节的可
由系统级的ECC利用。该69F1608是最佳
对于大的非易失性存储器的应用，如溶液
固态数据存储，数码录音机，数码
照相机和需要非易失性的其他应用程序。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。能够幸存于太空环境中，
69F1608是理想的卫星，飞船和太空探测器
任务。它是可用的包装和筛选高达
麦克斯韦技术自定义类K.
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组织：
- 存储单元阵列： （ 400 + 128K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x 8位
-
包含4个（ 32兆位）模具
自动编程和擦除
- 页面程序： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 8K + 256 ）字节
- 状态寄存器
528字节页读操作
- 随机访问： 10 μ秒（最大）
- 串行页面访问： 50纳秒（分钟）
快速写周期时间
- 计划时间： 250 μ S（典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力：100万编程/擦除周期
- 数据保存：10年
命令寄存器操作
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05年7月1日第2版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
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