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79C04085 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 79C04085
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内容描述: 4兆位EEPROM MCM [4 Megabit EEPROM MCM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 20 页 / 359 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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79C0408
4兆位( 512K的×8位)的
EEPROM MCM
CE
1
RS
E
R
/B
WE
OE
A
0-16
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-7
内存
逻辑图
F
EATURES
:
•四个128K ×8位的EEPROM MCM
• R
AD
-P
AK
®抗辐射抗自然
空间辐射
•总剂量硬度:
- > 100拉德(SI ) ,根据航天任务
•卓越的单粒子效应
- SEL > 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
??包装:
• - 40针ř
AD
-P
AK
®扁平封装
• - 40针X射线朴
TM
扁平封装
• - 40针抗辐射,耐扁平封装
•高速:
- 120 ,150,和200 ns的最大访问时间
可用的
•数据查询和就绪/忙信号
•软件数据保护
•通过RES引脚写保护
•高耐力
- 10,000擦除/写入(在页面模式) ,
- 10年的数据保留
•页写模式: 1到128字节页
•低功耗
- 80毫瓦/ MHz的工作模式
- 440 μ W待机模式
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79C0408多芯片模块( MCM )
内存拥有超过100拉德( Si)的总剂量耐受
ANCE ,根据航天任务。利用麦克斯韦技
奥希斯专利的抗辐射ř
AD
-P
AK
® MCM
封装技术,在79C0408是第一辐射硬
ened 4兆位MCM EEPROM的空间应用。该
79C0408采用四个1兆比特的高速CMOS裸片以产生
4兆位的产品。该79C0408能够在系统elec-的
Trical公司字节和分页编程。它有一个128字节的页
编程功能使其擦除和写入操作
速度更快。它还具有数据查询和就绪/忙信号
表示完成擦除和编程操作。
在79C0408 ,硬件数据保护设置有
RES引脚,除了在WE信号的噪声保护。
软件数据保护使用JEDEC实施
可选的标准算法。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽,同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上的R
AD
-P
AK
®包提供
大于100拉德( Si)的辐射剂量耐受性。本产
UCT可与筛选来上课K.
04年10月13日修订版15
所有数据表如有变更,恕不另行通知
1
( 858 ) 503-3300 - 传真: ( 858 ) 503-3301- www.maxwell.com
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