79C0832
8兆位( 256K ×32位)
EEPROM MCM
内存
F
EATURES
:
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•
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•
256K ×32位的EEPROM MCM
R
AD
-P
AK
®抗辐射抗自然
空间辐射
总剂量硬度:
- >100拉德(SI )
- 在相关轨道
优秀的单粒子效应
- SEL
TH
> 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
高耐用性
- 10,000次/字节(页编程模式)
- 10年的数据保留
页写模式: 1 〜8 ×128字节页
高速:
- 最大的150和200 ns访问时间
自动编程
- 10毫秒自动翻页/写字节
低功耗
- 160毫瓦/ MHz的有功电流
- 880 μ W待机电流
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79C0832多芯片模块( MCM )
内存拥有超过100拉德( Si)的总剂量耐受
ANCE ,取决于轨道。利用麦克斯韦技术'巳
ented抗辐射ř
AD
-P
AK
® MCM封装
技术, 79C0832是第一辐射加固8
兆MCM EEPROM空间应用。该79C0832
使用8个1兆位高速CMOS裸片,得到8
兆品。该79C0832能够在系统electri-的
CAL字节和页编程。它有一个128 ×8字节页
编程功能使其擦除和写入操作
速度更快。它还具有数据查询和就绪/忙信号
表示完成擦除和编程操作。
在79C0832 ,硬件数据保护设置有
RES引脚,除了噪声保护上WE信号和
写禁止在开机和关机。软件数据保护
使用可选的JEDEC标准算法实现。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽,同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上,R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德( Si)的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选高达麦克斯韦技术自定义的类
K.
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06年2月14日REV 15
所有数据表如有变更,恕不另行通知
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